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SEMI发布硅晶圆出货量预测报告
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X-FAB认证Cadence物理验证系统用于所有工艺节点
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IBM英特尔三星等投资44亿美元发展芯片技术
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东芝半导体业务新战略，致力BSI型CMOS传感器
发表于：2011/9/27 下午2:50:19
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市场乏力 更多DRAM制造商加入减产行列
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2011年半导体产业资本支出创最高纪录
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IR 推出可靠的超高速 1200 V IGBT可显著降低开关及传导损耗，提升整体系统效率
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英国曼彻斯特大学研究新材料 导电率比硅高30倍可用于制造超高速芯片
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2015年12英寸晶圆产量将增长近一倍
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美国斯坦福大学开发纳米电路剥离工艺 可将电路移植至任意材质衬底
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台积电称年内28纳米工艺规模量产
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东芝与Sandisk共庆300mm级NAND闪存工厂Fab 5在日本正式投产
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中微公司发布用于22纳米及以下芯片加工的下一代刻蚀设备
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德州仪器300-mm RFAB晶圆厂内部首曝光
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从2012年开始，DRAM产业削减成本的步伐将会放缓
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2011年全球半导体资本设备支出将增10.2%
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步上DRAM产业规模竞赛后尘 晶圆代工决胜18寸厂
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Globalpress：“互联”推动市场需求
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张忠谋：台湾半导体教父的“极限制造”
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苹果三星交恶 英特尔想分一杯羹
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8/12寸产线加速推动LED开启大晶圆时代
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飞兆半导体公布2011年第一季业绩
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Q2太阳能电池价格跌势仍未停止
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硅晶圆缺货依旧 DRAM合约价成功调涨
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