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消息称三星已放缓汽车半导体项目开发优先专研AI芯片
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（更新：三星否认）消息称三星HBM内存芯片通过英伟达测试
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消息称三星电子将为移动处理器引入HPB冷却技术
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三星发布首款3nm芯片Exynos W1000
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三星与大唐移动专利纠纷达成和解
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三星否认3nm晶圆代工厂出现生产缺陷
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美国对中国半导体制裁下韩国设备最杯具
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消息称三星3nm项目总投资超过1160亿美元
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三星SK海力士都将在新一代HBM中采用混合键合技术
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三星Exynos 2500 3nm良率仅20%
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三星美国得州芯片工厂推迟至2026年投产
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三星因3nm良率太低痛失谷歌高通订单
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中芯国际冲到全球前三：仅次于台积电三星
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