背靠背MOSFET" title="MOSFET">MOSFET管Q1-A和Q1-B都接到V（IN1）（5V）电源,而Q3-A和Q3-B接到V（IN2）（3.3V）电源。使用背靠背MOSFET管的原因是防止内部二极管与5V和3.3V电源短路。LTC1645" title="LTC1645">LTC1645的Gate1引脚控制Q3-A和Q3-B,Gate2引脚控制Q1-A和Q1-B。ON引脚对Gate1的导通门限电压为0.8V,对Gate2的导通门限电压为2.0V。V（CC1）和V（CC2）引脚的欠压锁定门限分别为2.3V和1.2V。因为图1所示电路选用了两个电源电压,所以有可能出现以下两种情况：  

图1：LTC1645与LTCI1735（采用SEPIC变换器）构成3.3V和5V热插拔" title="热插拔">热插拔电路

　　情况1：提供5V和3.3V电源

　　当5V和3.3V电源电压分别加到V（IN1）和V（IN2）时,D1将V（CC1）,V（CC2）,Sense1和Sense2引脚上拉到大约4.7V,用来清除V（CC1）和V（CC2）的欠压锁定门限。COMP（+）引脚被R2与R6构成的分压器上拉到2.5V。因为COMP（+）引脚的电压（内部比较器的同相输入端）比1.24V门限电压高,所以COMPOUT引脚（比较器的漏极开路输出）被R7上拉到5V。这样使Q5导通,并将Q3-A和Q3-B的栅极下拉到地。ON引脚被R1,R4和R8上拉到2.74V左右。在一个工作周期（t=C2·1.24V/2μA）之后,来自电荷泵的10μA内部电源源接到Gate1和Gate2引脚。Gate1引脚被Q5下拉到地,而Gate2引脚的电压开始上升,其斜率规定为dV/dt=10μA/C1。内部电荷泵保证Gate2引脚电压大约上升到12V。当Gate2引脚上升到1V左右时,Q1-A和Q1-B开始导通,并且V（OUT_HOT_SWAP）开始上升。输出电压将平稳地上升输入电压,这里是5V。图2分别示出了Gate2和V（OUT_HOT_SWAP）引脚电压分别上升到12V和5V时的特性曲线。 

图2：V（GATE2）和V（OUT_HOT_SWAP）引脚电压分别增加到12V和15V