一家由东芝" title="东芝">东芝、NEC电子等11家日本半导体生产商" title="半导体生产商">半导体生产商共同出资建立的高技术企业半导体尖端技术公司，近日成功开发出一种电子模型，该模型可被应用于预测互补金属氧化物半导体" title="互补金属氧化物半导体">互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管的特性变动。 

在下一代半导体的研制与开发过程中，通常都会应用到一种叫浅沟道隔离(STI)的技术，这种技术被用于分隔大规模集成电路" title="大规模集成电路">大规模集成电路中CMOS晶体管的相邻元件。而应用新开发的这种模型，可以在进行STI工序时预测所产生的应力引起的晶体管的特性变化，从而使对相邻元件间距离的计算更加精确，不必像过去进行半导体设计时那样考虑过多的冗余。 

据该公司称，这项发明可以将大规模集成电路的性能最大" title="最大">最大提高20%%，并将被日本生产商应用于下一代大规模集成电路的开发。