6 月 2 日消息，韩媒 Edaily 今天（6 月 2 日）发布博文，报道称在 2026 年台北国际电脑展上，三星展示了全球首款 HBM5 内存。

注：HBM5 是面向未来高性能计算（HPC）和人工智能（AI）训练需求设计的第八代存储技术。

HBM5 预计在 2029 年至 2031 年间推出市场，采用更先进的制造工艺，预计使用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM。

散热方面，为了应对超高功耗，HBM5 将采用浸没式冷却技术 (Immersion Cooling)，即直接将裸片和封装整体浸泡在冷却液中。

性能方面，行业预测 HBM5 将 I/O 通道提升至 4096-bit，以 16-Hi (16 层) 堆叠为标准，预期每个堆叠的带宽将提升至 4 TB/s。