产能填补AI缺口 存储三巨头疯狂建厂
消费电子恐继续缺货

2 月 20 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(2 月 19 日)发布博文,报道称三星、SK 海力士和美光三大存储巨头为抓住行业“超级周期”,正掀起建厂狂潮。

美光在纸面上的投资计划最为庞大。据《华尔街日报》报道,美光计划投入 2000 亿美元(IT之家注:现汇率约合 1.38 万亿元人民币)用于新项目,其中包括在美国爱达荷州博伊西建设占地 450 英亩的园区。该园区将拥有全美最大的洁净室,包含两座晶圆厂。

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图源:美光

基于 60 万平方英尺的洁净室规模估算,博伊西工厂的月产能(WPM)可达 15 万至 20 万片晶圆,这将使美光的全球总产量提升 40%。此外,美光还在纽约州规划投资约 1000 亿美元,计划建设四个洁净室。

据《朝鲜日报》报道,SK 海力士位于龙仁的半导体集群项目总投资达 850 亿美元,其首座晶圆厂从原定的 5 月,提前至今年 2 月或 3 月开始试产。

三星也调整了平泽 P4 工厂的计划,将完工时间从明年一季度提前至 2026 年第四季度,P4 工厂预计将提供 10 万至 12 万片晶圆的月产能。

不过该媒体也指出,由于 AI 产品对 DRAM 的需求,三大存储巨头大幅扩张产能,但普通消费者很难从中受益。原本主要用于消费电子(如手机)的 LPDDR 标准,现在正被英伟达大量用于其机架级 AI 产品中。此外,智能体 AI(Agentic AI)对内存带宽要求极高,促使制造商优先生产 HBM(高带宽内存)和 SOCAMM 模块。因此,新增的产能将主要用于填补 AI 领域的巨大缺口,消费级市场的内存短缺问题在短期内仍将持续。

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