12 月 4 日消息，韩媒《文化日报》当地时间今日报道称，SK 海力士在继续发展先进存储制程的同时也将进入利基型 DRAM 制造领域，丰富业务范围。
报道提到，SK 海力士正与一家韩国 Fabless 无晶圆厂半导体设计企业合作，计划最早在 2027 年开始生产定制的专用 DRAM 内存，双方正就具体项目和产能进行交涉。
消息指出，SK 海力士考虑利用设在中国江苏无锡的晶圆厂制造利基型 DRAM，这有利于保持相对较老的生产线的利用率，同时能降低韩国 Fabless 企业对力积电等的依赖。
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