10 月 14 日消息，掩膜是半导体光刻 / 图案化中的关键材料，是芯片上实际电路图案的母版，因此半导体工艺制程的提升离不开掩膜精度的升级。多重电子束掩膜光刻设备可实现高吞吐量、高精度的光掩模制造，是芯片生产中的重要工具之一。

日本东芝旗下半导体设备企业 NuFlare 当地时间 9 月 30 日宣布推出支持 A14 (1.4nm) 工艺的新一代多重电子束掩膜光刻设备 MBM-4000。

MBM-4000 精确控制超过 50 万束电子束，拥有较适用于 2nm 节点的上一代设备 MBM-3000 更小的束流尺寸和更高的电流密度，可实现 1.1nm 的位置精度和 0.3nm 的尺寸精度，满足目前最先进制程的生产要求。