9 月 11 日消息，行业媒体 Digitimes 昨日（9 月 10 日）发布博文，报道称台积电确认将在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务，关闭新竹科学园区的 6 英寸二厂，并整合 8 英寸三厂（Fab 3、Fab 5、Fab 8）。

报道称台积电为缓解用工紧缺、降低运营成本并优化产能利用率，抽调约 30% 的员工将调往南部科学园区及高雄厂区，这也是台积电自 2025 年初启动旧厂精简计划以来的重要一步。

援引博文介绍，6 英寸工厂将转型为 CoPoS 面板级封装生产基地，而 8 英寸厂则将承担一项出人意料的新任务 —— 量产自研 EUV 光罩薄膜（Pellicle）。

台积电此举意在摆脱对 ASML 及其供应链的依赖，同时利用自身研发与制造能力，一方面提升先进制程的 EUV 光刻良率，另一方面也可以更好地控制成本。

台积电在过去 10 年里先进制程投入创纪录的资本支出，但随着摩尔定律逼近物理极限，单纯依赖资本投入的收益在减弱。EUV 光刻虽带来了更小的制程节点，却需昂贵设备支持 —— 单台扫描机约 1.5 亿美元，High-NA 版本更超过 3.5 亿美元且由 ASML 垄断。因此，台积电放缓了 High-NA 设备采购，转而加快薄膜技术布局。

EUV 薄膜是覆盖在光罩上的保护膜，用于防止颗粒污染。然而传统有机材料透光性与稳定性不足，多数晶圆厂只能无薄膜生产，需频繁检测并更换光罩，增加成本与停机时间。台积电认为薄膜对 7nm 以下制程至关重要，自研方案有望优化生产流程、扩大产能并提升盈利能力。