7 月 30 日消息，三星电子在去年末与美国商务部达成了最终版本的《CHIPS》法案激励计划，相较同年 4 月的初步备忘录取消了有关在得克萨斯州泰勒市建设 3D HBM 和 2.5D 封装先进封装的内容。

而根据韩国媒体 hankyung 的报道，在泰勒市晶圆厂获特斯拉大额先进制程订单和韩美贸易谈判进入关键阶段的双重背景下，三星电子重新考虑在泰勒市导入先进封装产能，追加投资规模预计将达约 70 亿美元（注：现汇率约合 502.63 亿元人民币）。

以特斯拉 AI6 为代表的先进制程芯片存在对先进封装技术的天然需求。在泰勒市实现 AI6 的前端 + 后端一体化生产符合特斯拉在美国构建本地化芯片产能的目标；而这笔大交易也可能带动其它客户向三星泰勒厂下达代工订单。

而在另一方面，韩国的另一大半导体企业 SK 海力士也在考虑在美国建设 DRAM 晶圆厂，与此前宣布的 HBM 先进封装设施形成协同效应，避免需要外部 DRAM 供应才能完成 HBM 制造的局面。