Intel 18A工艺良率已超越三星2nm

7月14日消息,据报道,KeyBanc Capital Markets的分析报告显示,Intel 18A工艺的良率已从上一季度的50%提升至55%,与竞争对手的对比中脱颖而出。

相比之下,三星2nm工艺(SF2)目前的良率大约在40%左右,而Intel 18A工艺的良率已经超越了三星2nm。

虽然仍低于台积电N2的65%,但已具备Q4 2025量产(HVM)条件,届时其良率有望进一步提升至70%,这将为Intel下一代移动CPU的生产提供有力支持。

虽然Intel的良率预计不会超越台积电,但拥有一个功能强大的制程就足够该公司所用了。

Intel 18A工艺的进步不仅有助于其内部产品的开发,如即将推出的Panther Lake系列,还为未来向外部客户提供服务奠定了基础。

Intel计划在18A工艺取得成功后,逐步向14A工艺过渡,以进一步提升其在高端芯片市场的竞争力。


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