6 月 16 日消息，韩国媒体 the bell 当地时间本月 12 日报道称，在 HBM 市场处于领先地位的 SK 海力士调整了下代 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存量产线的设备采购节奏，暂缓新技术应用。

SK 海力士现在的主力 HBM 产品 HBM3E 和即将量产的 HBM4 均基于 1b 工艺的 DRAM，未来的 HBM4E 才会导入 1c 制程。

SK 海力士凭过往产品表现在 HBM 市场建立起良好声誉，以英伟达为代表的 AI 芯片企业对其 HBM 内存有着庞大需求；另一方面，HBM 的盈利能力也明显优于传统 DRAM。这是 SK 海力士专注于扩大 1b DRAM 产能的两大原因。

SK 海力士在三大内存原厂中率先完成 1c nm 的 DDR5 开发，实现了 11% 的速度改进和 9% 的能效改进，不过该企业在 1c nm LPDDR5x 的进度上被美光反超。