4月21日消息，根据VLSI 2025最新曝光的资料中，英特尔披露了更多的关于其最新的 Intel 18A 制程的细节。

根据英特尔官网的此前公布的资料显示，Intel 18A采用了RibbonFET 环绕栅极晶体管(GAA) 技术，可实现电流的精确控制，同时还率先采用了业界首创的 PowerVia 背面供电技术，可将密度和单元利用率提高 5% 至 10%，并降低电阻供电下降，从而使 ISO 功率性能提高高达 4%，并且与正面功率设计相比，固有电阻 (IR) 下降大大降低。与Intel 3 工艺节点相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。

最新资料显示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）库，具有全功能的技术设计功能和增强的设计易用性。在 PPA 比较中，Intel 18A 在标准 Arm 内核子块上设法在 1.1V 电压下提供 25% 的速度提高和 36% 的功耗降低。除此之外，Intel 18A 实现了比 Intel 3 更好的面积利用率，这意味着该工艺可以实现更好的面积效率和更高密度设计的潜力。

有趣的是，资料中还附有一个“电压下降”图，它描述了节点在高性能条件下的稳定性，并且由于Intel 18A 的 PowerVia 技术，该工艺可以提供更稳定的电力输送。为了展示Intel 18A 的能力，该文件还附上了供电电路库比较，该比较表明，通过背面供电技术，英特尔管理了更紧密的供电电路封装并提高了面积效率，这主要是因为相比正面布线释放了更多空间。

从目前披露的信息来看，如果良率没有问题的话，Intel 18A 工艺将会成为台积电2nm制程的有力竞争者。

根据计划，Intel 18A将会由其PC处理器Panther Lake首发搭载，服务器处理器 Clearwater Forest 也将会采用，预计将会在年底发布，2026年将会有相关产品上市。

今年3月，英特尔工程经理Pankaj Marria就曾通过LinkedIn发文指出，“Intel 18A制程迎来重要里程碑！很荣幸加入‘Eagle Team’，一同落实Intel 18A，我们的团队率先完成亚利桑那州的首批生产，先进半导体制程迈出了关键一步。”

近日，知名投资机构KeyBanc Capital Markets的分析师John Vinh也表示，“Intel 18A 有望在 2025年下半年由Panther Lake率先采用，其包括良率和缺陷密度在内的 KPI 正朝着正确的方向发展，并且处于可接受的水平。”