2 月 25 日消息，美光科技刚刚宣布，已向生态系统合作伙伴及部分客户提供基于 1γ 节点、第六代（注：即 10nm 级）DRAM 节点的 DDR5 内存样品。
据介绍，基于 1γ 节点的 16Gb DDR5 产品 DDR5 内存速度可达 9200MT/s，较上一代提升 15%，可满足数据中心、端侧 AI 设备对高性能计算的需求。
同时，美光的 1γ 节点采用了新一代高 K 金属栅极 CMOS 技术，结合设计优化，功耗降低超 20%，并显著改善热管理性能。
此外，新一代内存通过极紫外光刻（EUV）与工艺创新，使比特密度提升超 30%，有效提升内存供应效率。
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