2 月 24 日消息，据韩媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 国际固态电路会议现场的采访，三星电子在本次会议上公布了其 HBM 内存路线图，分享了预设的性能参数目标：

在三星眼中，HBM4E 相较 HBM4 的两大变化是引入 32Gb DRAM 裸片和将每引脚速率提升至 10Gbps：前者可在 16Hi 堆叠时将单堆栈容量扩展至 64GB，而后者意味着 HBM4E 的整体带宽将达 HBM4 的 1.25 倍。

下游应用方面，HBM4E 内存有望被英伟达 2027 年推出的 Rubin Ultra AI GPU 采用。Rubin Ultra 支持 12 个 HBM4 (E) 堆栈，这意味着单加速器内存容量有望达到惊人的 768GB。