三星目标2028年推出LPW DRAM内存
I/O速度提升166%,针对端侧AI优化

2 月 19 日消息,据韩媒 SEDaily 现场采访报道,三星电子 DS 部门首席技术官 Song Jai-hyuk 美国加州旧金山当地时间 17 日在 IEEE ISSCC 2025 国际固态电路会议全体会议上表示,首款针对设备端 AI 应用优化的 LPW DRAM 内存产品将于 2028 年发布。

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LPW 是 LPDDR Wide-IO 的简称,顾名思义其是一种类似 LPDDR 但具有更高 I/O 位宽的移动端内存产品,其在引入更多 I/O 通道的同时降低每个通道的数据传输速率,以实现高带宽低功耗的目标。

此外,LPW DRAM 在结构上改变了多层 DRAM 堆栈的组合方式:其将采用结合 RDL(注:重布线层)的垂直引线键合取代目前的传统引线键合,实现更小的封装尺寸和更优秀的能效表现。

三星电子宣称,LPW DRAM 的带宽可达 200GB/s 以上,较现有的 LPDDR5x 提升 166%;同时其功耗降至 1.9 pJ / bit,比 LPDDR5x 低 54%。


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