1 月 3 日消息，韩媒《Chosun Biz》当地时间今日报道称，三星电子 DS 部门内存（注：即存储器）业务部最近完成了 HBM4 内存逻辑芯片设计；Foundry 业务部现已根据该设计采用 4nm 制程启动试生产。

待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。

▲ 三星电子的 HBM 内存

逻辑芯片也称基础裸片、接口芯片，在整体 HBM 内存堆栈中起到“大脑”的作用，负责控制其上方多层 DRAM Die。在 HBM4 世代，由于内存堆栈 I/O 引脚数量加倍、需集成更多功能等一系列因素，三大内存原厂均采用逻辑半导体代工制造逻辑芯片。

业内人士表示，运行时的发热是 HBM 内存的最大敌人，而在堆栈整体中逻辑芯片更是发热大户，采用先进制程制造逻辑芯片有助于改善 HBM4 的能效与性能表现。

三星电子试图在 HBM4 上采取相对激进的技术路线以挽回在 HBM3 (E) 世代因质量原因而丢失的 HBM 内存市场份额：除采用自家 4nm 工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在 HBM4 上导入 1c nm 制程 DRAM Die，并有望在 16Hi 堆栈中引入无凸块的混合键合技术。