10 月 30 日消息，韩媒 ETNews 当地时间昨日报道称，三星电子已决定 2025 年初引进其首台 ASML High NA EUV 光刻机，正式同英特尔、台积电展开下代光刻技术商业化研发竞争。

三星电子此前同比利时微电子研究中心 imec 合作，在后者与 ASML 联手建立的 High NA EUV 光刻实验室进行了对 High NA 光刻的初步探索；此次引入自有 High NA 机台将加速三星的研发进程。

▲ ASML 首代 High NA EUV 光刻机 EXE:5000

考虑到精密的 High NA EUV 光刻机需要一段时间用于安装和调试，该机台有望最早于明年中旬投入研发使用。由于三星目前半导体先进制程路线图已规划至 SF1.4 节点（注：2027 年量产），采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1。

三星在先进制程代工领域的两家主要对手中，英特尔已完成第二台 High NA EUV 光刻机安装，台积电的首个机台也将于今年内实现交付；此外在存储领域，SK 海力士的首台 High NA EUV 光刻机则有望 2026 年引入。