近日，日本半导体材料大厂信越化学宣布，已经制造出一种用于 GaN（氮化镓）外延生长的 300 毫米（12 英寸）衬底，并于最近开始供应样品。

据介绍，信越化学的 QST 300mm 晶圆具有与 GaN 相同的热膨胀系数 （CTE），避免了 GaN 外延层的翘曲和裂纹，从而提高了良率。在此之前，信越化学已经对外销售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）QST 衬底以及 QST 外延衬底上的 GaN。

Qromis 许可的 QST（Qromis 衬底技术）衬底由具有与 GaN 相匹配的 CTE 的多晶氮化铝陶瓷芯和涂覆芯的多层无机薄膜组成。封装层顶部的二氧化硅 SiO2 键合层允许单个晶体硅层形成外延 GaN 生长的成核层。

GaN 器件制造商由于缺乏适合 GaN 生长的大直径衬底，因此无法从增加材料直径中受益，尽管他们可以使用现有的 GaN 硅生产线。300mm QST 衬底可实现 GaN 外延生长，而不会出现翘曲或裂纹，这在硅片衬底上是无法实现的，从而显著降低了器件成本。

这种衬底材料可实现高质量和厚的 GaN 外延生长，并具有大直径。信越化学表示，客户正在评估用于功率器件、高频器件和 LED 的 QST 衬底和 QST 外延衬底上的 GaN，并已进入数据中心电源的开发阶段。