6 月 24 日消息，韩媒 BusinessKorea 报道，业内人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美国夏威夷举行的 VLSI 2024 峰会上发表了有关 3D DRAM 技术的最新研究论文。

在这篇论文中，SK 海力士报告其五层堆叠的 3D DRAM 内存良率已达 56.1%，实验中的 3D DRAM 展现出与目前 2D DRAM 相似的特性。

据介绍，与传统的 DRAM 水平排列内存单元不同，3D DRAM 垂直堆叠单元，可以在相同空间内实现更高的密度。

不过，SK 海力士指出，与 2D DRAM 的稳定运行不同，3D DRAM 表现出不稳定的性能特征，需要堆叠 32 到 192 层存储单元才能实现普遍应用。

三星正在开发 16 层堆叠 3D DRAM，并在今年 3 月的 MemCon 2024 展会上宣布计划在 2030 年左右实现 3D DRAM 产品商业化应用。