三星1nm工艺量产计划提前至2026年

5月30日消息,据媒体报道,三星电子代工业务部门计划在即将到来的6月12日至13日在美国硅谷举办的代工与SAFE论坛上,公布其技术路线图和强化代工生态系统的计划。

其中最大的变化是,三星预计将把原定于2027年实现的1nm工艺量产计划提前至2026年。

此前,三星电子已于2022年6月在全球首次成功量产3nm晶圆代工,并计划在2024年开始量产其第二代3nm工艺,随后于2025年启动2nm工艺的量产。

业界推测,三星可能会将第二代3nm和2nm工艺进行整合,并有可能在2024年下半年就开始量产2nm芯片。

与此同时,三星的主要竞争对手台积电也在积极推进其工艺发展计划。

台积电计划在2027年达到A16节点(1.6nm),并预计在2027-2028年左右开始量产1.4nm工艺。

尽管有传闻称台积电因技术问题将2nm工艺全面量产推迟至2026年,但台积电已明确表示2nm工艺开发进展顺利,预计2025年左右可实现量产。

三星电子的信心部分源自于其在2022年6月引入的“Gate-All-Around(GAA)”电流控制技术,该技术能显著降低晶体管的漏电流,提升芯片功率效率。

与此同时,台积电的信心则源自与大客户苹果的密切合作,苹果对台积电的营收贡献高达25%-30%。


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