4 月 19 日消息，三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于 HBM 内存方面的采访，采访中这两位高管表示，三星计划将 TC-NCF 工艺用于 16 层 HBM4 内存的生产。

TC-NCF 是一种有凸块的传统多层 DRAM 间键合工艺，相较于无凸块的混合键合更为成熟；但因为凸块的引入，采用 TC-NCF 生产相同层数的 HBM 内存会相对更厚。

三星表示，其前不久成功采用 TC-NCF 键合工艺推出了 12 层堆叠的 36GB HBM3E 内存。在该内存生产过程中，三星针对发热进行了结构优化，保证高堆叠层数下 HBM 的可靠性。

除继续使用 TC-NCF 键合外，根据IT之家此前报道，未来三星在 HBM4 内存生产中也会应用混合键合，采用“两条腿走路”的策略。

三星高管表示，如果 AI 处理器和内存厂商各自优化产品，很难满足未来 AGI 对算力的需求，因此两方面的厂商需要通力合作，而为特定 AI 需求定制 HBM 内存就是迈向 AGI 的第一步。

三星电子将充分利用其全面的逻辑芯片代工、内存生产、先进封装业务，建立一个 HBM 内存定制生态平台，快速响应用户的定制需求。

此外，三星电子已就未来的 3D HBM 内存（将 HBM 和逻辑芯片垂直集成）与客户进行了讨论。