3 月 21 日消息，意法半导体（STMicroelectronics）宣布与三星联合推出 18nm FD-SOI 工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器（ePCM）。

FD-SOI 即全耗尽型绝缘体上硅，是一种平面半导体工艺技术，可以较简单的制造步骤实现优秀的漏电流控制。

意法半导体表示，相较于其现在使用的 40nm eNVM 技术，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工艺大幅提升了性能参数：其在能效上提升了 50%，数字密度上提升了 3 倍，同时可容纳更大的片上存储器，拥有更低的噪声系数。

该工艺能够在 3V 电压下提供多种模拟功能，包括电源管理、复位系统等，是 20nm 以下制程中唯一支持这些功能的技术。

同时，新的 18nm FD-SOI 工艺在抗高温、抗辐射等方面也有出色表现，可用于要求苛刻的工业应用。

意法半导体首款基于该制程的 STM32 MCU 将于下半年开始向选定的客户出样，并计划于 2025 年下半年量产。