3 月 14 日消息，集邦咨询近日发布报告，表示 2024 年 HBM 内存市场主流规格为 HBM3，不过英伟达即将推出的 B100 或 H200 加速卡将采用 HBM3e 规格。

消息称目前 AI 加速卡除了 CoWoS 封装瓶颈之外，另一个重要限制就是 HBM，这其中的主要原因是 HBM 生产周期较 DDR5 更长，投片到产出、封装完成需要至少 2 个季度。

英伟达目前主流 H100 加速卡采用 HBM3 内存，主要供应商为 SK 海力士，目前无法满足整体 AI 市场需求。集邦咨询表示三星于 2023 年年末，以 1Znm 产品加入英伟达供应链，尽管比重仍小，但可视为三星在 HBM 领域的重大突破。

由于三星是 AMD 长期以来最重要的策略供应伙伴，2024 年第一季，三星 HBM3 产品也陆续通过 AMD MI300 系列验证，其中包含其 8h 与 12h 产品，故自 2024 年第一季以后，三星 HBM3 产品将会逐渐放量。

而自 2024 年起，市场关注焦点即由 HBM3 转向 HBM3e，预计下半年将逐季放量，并逐步成为 HBM 市场主流。据 TrendForce 集邦咨询调查，第一季由 SK 海力士率先通过验证，美光紧跟其后，并于第一季底开始递交 HBM3e 量产产品，以搭配计划在第二季末铺货的 NVIDIA H200。

三星由于递交样品的时程较其他两家供应商略晚，预计其 HBM3e 将于第一季末前通过验证，并于第二季开始正式出货。