据媒体报道，中国领先的存储企业长鑫存储 ( CXMT ) 已经开始准备必要设备，计划制造自己的 HBM 高带宽内存，以满足迫切的 AI、HPC 应用需求。

报道称，长鑫已经在向美国、日本的供应商下单采购制造、组装、测试 HBM 内存的必要设备。

这说明，相关开发设计工作已经完成，可以转入投产阶段。

消息人士称，早在 2023 年中，Applied Materials、Lam Research 等美国设备供应商就获得了美国政府的许可，可以向长鑫出口 HBM 制造设备。

考虑到 HBM 内存需要先进、复杂的制造和封装技术，这似乎暗示中芯国际在这方面也已经取得了突破。

目前，长鑫已经在合肥有了一座 DRAM 内存工厂，正在筹钱建设第二座，会导入更先进的工艺，有可能会同时用来制造 HBM。

暂时还不清楚长鑫要生产的 HBM 是第几代，可能是 HBM3，而国际上已经有了更先进的 HBM3E，SK 海力士还计划在 2026 年抢先投产 HBM4。

根据规划，HBM4 将抛弃用了将近十年的 1024-bit 位宽，首次升级到 2048-bit 位宽，并有望堆叠更多层级，从而在容量、带宽上都实现一次重大飞跃。