ASML:High-NA EUV光刻仍是未来最经济选择

ASML 首席财务官 Roger Dassen 近日接受了荷兰当地媒体 Bits&Chips 的采访。在采访中,Dassen 回应了分析机构 SemiAnalysis 的质疑,表示 High-NA(高数值孔径)EUV(极紫外光)光刻机仍是未来最经济的选择。

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SemiAnalysis 之前刊发文章,认为 High-NA 光刻技术将使用更高的曝光剂量,从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着,相较于沿用现有的 0.33NA EUV 光刻机并搭配多重曝光,引入 High-NA 在近期不会带来成本优势。

Dassen 认为,SemiAnalysis 的观点轻视了多重曝光路线的复杂程度,英特尔 10nm 制程难产的关键原因之一就是其 DUV+SAQP(IT之家注:Self-Aligned Quadruple Patterning,即自对准四重曝光)技术路线过于复杂,正因此英特尔积极布局 High-NA EUV 技术,买下了第一台 High-NA 光刻机。

Dassen 表示,不同客户对于引入 High-NA 的时间点有不同评估是很自然的,不过 AMSL 每季度都获得了数个 High-NA EUV 光刻机新订单。


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