我国推进硅光子新赛道:无需EUV 光刻机和先进制程
2030 全球产值预估达61亿美元

1 月 24 日消息,美国智库战略与国际研究中心(CSIS)于 1 月 12 日发布文章,表示硅光子技术成为中美科技战的新战场,可能重塑半导体和 AI 领域的竞争格局。

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图源:WikiMedia

该文章作者马修・雷诺兹(Matthew Reynolds)表示,和现有电子芯片不同的是,光子芯片利用光子而非电子传递信息,结合光子学和电子技术,有可能创造出具有更高带宽和能效的大规模计算系统,超越传统电子芯片的物理限制。

我国第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要中,都明确提到了光子技术,将其视为绕过西方技术控制的途径之一。

中国智库中国国际经济交流中心(CCIEE)经济学家陈文玲表示,硅光子是中国能弯道超车的技术:“光子芯片具有诸多技术优势,它运算速度更快,信息容量更大,将比目前的硅基芯片提升 1000 倍以上”。

中国中科鑫通微电子(SinTone)正筹建光子芯片生产线,意味中国在光子芯片将走在世界前列,甚至彻底改变芯片技术路线。

中科鑫通微电子总裁隋军指出,中国有能力在国内生产光子芯片,因为制造过程不需用到极紫外光(EUV光刻机

雷诺兹认为当前光子芯片还存在诸多挑战,短期内不可能替代电子芯片,但的确有望成中国前进半导体制造前沿的突破口。

根据 siliconsemiconductor 报道,全球硅光子市场预计将以 22.4% 的复合年增长率增长,在 2023 年预估产值规模为 14 亿美元(当前约 100.38 亿元人民币),而到 2030 年底预估达到 61 亿美元(IT之家备注:当前约 437.37 亿元人民币)。 

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