• 全新射频功率器件顶部冷却封装技术有助于打造尺寸更小巧、轻薄的无线单元，部署5G基站更快、更轻松

• 简化设计和制造，同时保证性能

　　荷兰埃因霍温——2023年6月9日——恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI）宣布推出顶部冷却式射频放大器模块系列，其中采用的创新封装技术有助于为5G基础设施打造更轻薄的无线产品。尺寸更小的基站可以提高安装的便利性和经济性，同时能够更分散地融入环境。恩智浦的GaN多芯片模块系列与全新的射频功率器件顶部冷却解决方案相结合，不仅有助于将无线电产品的厚度和重量减少20%以上，而且还可以减少5G基站制造和部署的碳足迹。

　　恩智浦副总裁兼射频功率业务部总经理Pierre Piel表示：“顶部冷却技术为无线基础设施行业带来了重大机遇，借助该技术，我们可以将高功率功能与出色的热性能相结合，打造出尺寸更小的射频子系统。基于这一创新技术的解决方案，让我们既可以部署更环保的基站，同时又能保证实现5G全部性能优势所需的网络密度。”

　　恩智浦新推出的顶部冷却式器件具有显著的设计和制造优势，如无需专用射频屏蔽、可以使用高性价比的精简印刷电路板，以及分离热管理与射频设计。这些特性有助于网络解决方案提供商为移动网络运营商打造更轻薄的5G无线产品，同时缩短产品的整体设计周期。

　　恩智浦首个顶部冷却式射频功率模块系列专为32T32R、200W射频而设计，覆盖3.3GHz至3.8GHz的频率范围。这款器件结合使用了恩智浦专有的LDMOS和GaN半导体技术，兼具高增益、高效率和宽带性能，能够在400MHz瞬时带宽下提供31 dB的增益和46%的效率。

　　A5M34TG140-TC、A5M35TG140-TC和A5M36TG140-TC日前已上市。恩智浦RapidRF参考板系列将为A5M36TG140-TC提供支持。

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