65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率。

　　四川美阔推出了一款1A2C65W氮化镓（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V宽输入电压，输出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，内置MGZ31N65-650V氮化镓开关管；采用PD3.0协议IC。

　　空载损耗低于50mW；控制IC可支持频率高达160 kHz，峰值效率达到91.62%，方案尺寸为60*60*30mm，功率密度达到1.5W/cm3。

　　电路原理图：

　　充电器主控芯片采用美阔的GaN氮化镓功率芯片MGZ31N65。其内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路，250mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用8*8mm QFN封装，节省面积。

　　具有良率高，驱动电路简单，抗干扰能力强，封装全面，动态电阻低等优势，良率高，产能大，持续成本优化，竞争力不断提升。

　　PCB布局图：

　　其优势：

　　1、返驰式谷底侦测减少开关损失

　　2、轻载Burst Mode增加效率

　　3、最佳效能可达91%；空载损耗低于50mW

　　4、控制IC可支持频率高达160 kHz

　　5、系统频率有Jitter降低EMI干扰

　　6、可输出65W功率；控制IC可直接驱动GaN

　　◆进阶保护功能如下：

　　(1) VDD过电压及欠电压保护

　　(2) 导通时最大峰值电流保护

　　(3) 输出过电压保护(4) 输出短路保护

　　美阔65W 1A2C有线快充模块为高功率密度设计，多接口输出，小巧紧凑。模块正反面均使用散热片覆盖，并缠绕胶带固定。输入线通过过孔焊接连接，便于在充电插排中应用，满足各类手机和电源适配器、LED照明驱动器、LCD显示器电源、带充电界面排插…供电需求。

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