英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,树立技术新标准

  英飞凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术和创新的封装,尺寸极小,却具有显著的性能优势。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列已针对服务器、通讯、便携式充电器和无线充电等SMPS应用中的同步整流进行了优化。这些功率MOSFET还可在无人机中,应用于小型无刷电机的ESC(电子速度控制)模块。众所周知,无人机通常需要尺寸小、重量轻的元器件。

  本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202203/431983.htm

  这些领先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封装,具备更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及业界极低的导通电阻,能够进一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封装,为PCB布局布线提供了更高的灵活性。此外,该解决方案还具有出色的电气性能,可进一步提高终端应用的功率密度,缩小外形尺寸。同时,系统温度的降低、性能的提升,也让热管理变得更加轻松。这些特性有助于实现更小巧的客户应用,充分节省空间、降低系统成本,打造易于设计的产品。

  1647307318159435.png

  供货情况

  采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列现已上市:

  ●   PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 mΩ (ISK024NE2LM5)

  ●   PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 mΩ (ISK036N03LM5)




mmexport1621241704608.jpg


通知公告
编辑观点
理事会
参考资料
版权声明

凡《网络安全与数据治理》(原《信息技术与网络安全》)录用的文章,如作者没有关于汇编权、翻译权、印刷权及电子版的复制权、信息网络传播权与发行权等版权的特殊声明,即视作该文章署名作者同意将该文章的汇编权、翻译权、印刷权及电子版的复制权、信息网络传播权与发行权授予本刊,本刊有权授权本刊合作数据库、合作媒体等合作伙伴使用。同时,本刊支付的稿酬已包含上述使用的费用,特此声明。

《网络安全与数据治理》(原《信息技术与网络安全》)编辑部