K海力士宣布，开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。

具体来看，已经于7月初开始量产适用第四代10nm（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） ＊LPDDR4 移动端DRAM（动态随机存储器）产品。

此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。SK海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a nm级技术的移动端 DRAM。

在此之前，SK海力士曾在生产1y nm级产品中部分采用了EUV技术，完成了对其稳定性的验证。这对采用EUV技术进行量产DRAM产品具有非凡的意义。

相比于前一代1z nm级工艺，1a nm级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25％，带来了生产效率的提升和更高的成本竞争力。1a nm级DRAM稳定支持 LPDDR4 移动端DRAM规格的最高速度（4266Mbps），并相较前一代产品其功耗也降低了约20％。SK海力士认为此次新产品进一步强化了低功耗的优势，助力碳排放量的减少，充分体现了SK海力士注重ESG（环境、社会、公司治理）经营的精神理念。

启用EUV技术光刻机闪存内存芯片的还包括三星和美光，不过美光时间上要更晚一些，预计在2024年生产新的EUV内存芯片。