中科院网站消息中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边（Virtual Edge）与双采样率像素化掩模图形（Mask pixelation with two－phase sampling）的快速光学邻近效应修正技术（Optical proximity correction，OPC），仿真结果表明该技术具有较高的修正效率。
OPC技术通过调整掩模图形的透过率分布修正光学邻近效应，从而提高成像质量。基于模型的OPC技术是实现90nm及以下技术节点集成电路制造的关键计算光刻技术之一。
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