去年中国进口集成电路金额超过3500亿美元,其中约有25-30%左右为存储芯片,主要就是NAND闪存和DRAM内存,而主要供应方为三星、SK海力士、美光、东芝、西部这些厂商。

而国产存储芯片厂商,主要也有两家,分别是长江存储和长鑫存储,长江存储主攻NAND闪存,而长鑫存储主攻DRAM内存。

而现在,国产内存有了新玩家了,那就是兆易创新。在6月3日,国产存储芯片巨头兆易创新宣布,其首款自有品牌4Gb DDR4产品GDQ2BFAA系列现已量产,实现从设计、流片,到封测、验证的全面国产化。

而兆易创新这次量产的DDR4芯片,工艺是19nm,与长鑫目前的19nm工艺基本是保持一致的,而预计接下来的工艺是17nm,大约在2021年底或2022年初实现。

那么目前三星、美光工艺是多少?由于在内存领域,大家并不直接说多少纳米工艺,是以1Xnm、1Ynm、1Znm、1αnm、1βnm、1γnm来替代的。

三星、美光对外表示的工艺是1αnm工艺,其实是14nm工艺,而长鑫存储、兆易创新的19nm工艺,称之为1Xnm,很明显,相较于全球最牛的三星,已经只有3nm的差距了,努力一把,说不定就要追上了。

为何兆易创新在内存领域,这么容易就实现了0的突破,缘于兆易创新本来就是一家存储芯片厂商,成立于2005年的兆易创新,这16年在存储芯片领域,可是拿下了很多个第一名的。

比如成功研发了国内第一颗SPI NOR Flash产品、第一颗静态存储器及IP技术、推出了国内首款基于ARM Contex-M3内核的32通用MCU产品。

此外,兆易创新还是全球排名第一的无晶圆厂NOR Flash供应商,SPI NOR Flash领域市占率国内第一、全球第三,有着深厚的积累,所以从NOR Flash领域,跨界到DRAM领域,也就显得顺理成章了。

不过要注意的是,兆易创新也是Fabless模式,即自己不生产芯片,只设计芯片,然后交给专业的芯片代工企业来生产,之前兆易创新的订单多是交给中芯国际,这次的DRAM是谁来生产的,暂时还不清楚。