导读：3月25日，三星电子宣布开发出512 GB DDR5内存模块，并将与英特尔合作开发相关技术和产品。

　　图：三星512 GB DDR5内存模块

　　BusinessKorea报道称，三星电子正在扩大与英特尔的合作，以领导下一代DRAM芯片领域。而英特尔最近决定在晶圆代工领域进行大规模投资，所以两家公司正在同时合作和竞争。

　　三星发布的第五代DDR产品可以提供的最大数据传输速率为7,200 Mbps，是DDR4速率的两倍以上。此外，该产品还具有八层16 Gb硅通孔，可堆叠以实现容量最大化，而四层主要用于DDR4。

　　此外，高k金属栅极工艺已首次应用。该技术是基于快速而牢固的电流输出口闭合功能来最大程度地降低功耗，以减少泄漏电流。根据三星电子的数据，该产品在功耗方面的效率提高了约13％。

　　DDR5可能会在提高其性能的同时成为市场的主流。据市场研究公司Omdia称，从今年到2024年，DDR5的出货量预计将从DRAM市场的0.6％增长到53.2％。

　　增长需要与设计和制造CPU的英特尔合作。预计该公司将在今年下半年发布与DDR5兼容的产品。三星电子正计划逐步将大容量DDR5产品商业化。

　　英特尔解释说：“随着需要处理的数据量呈指数级增长，下一代DDR5内存芯片在云数据中心，网络和边缘计算等方面变得越来越重要……三星电子将开发与我们服务器CPU兼容的的DDR5存储芯片。”