2020年12月29日，上海凯世通半导体股份有限公司（下文简称 “凯世通”或“KINGSTONE”）针对Advanced Ion Beam Technology, Inc.(下文简称“AIBT”)主体涉嫌违约的行为向香港行政区高等法院提起诉讼。目前香港高等法院已向AIBT公司发出法院传票(High-court Civil Action number: HCA2181/2020)。据悉，此次诉讼为近年来首家大陆半导体设备公司对同业公司进行跨境法律维权起诉。

图片来源：香港高等法院对AIBT公司的传票

据双方此前签订的协议规定，原告KINGSTONE拥有超越7nm技术的集成电路芯片离子注入机的原创设计与开发的技术及产品。被告AIBT凭借购买原告KINGSTONE原创设计并生产的离子注入平台与其现有离子束系统（也是由KINGSTONE的创始团队成员开发）相结合，以此确立其在离子注入技术领域中的领先地位。协议规定AIBT在3年内必须且不可逾越地从KINGSTONE购买相关产品，而由于AIBT违反条约直接逾越KINGSTONE与上游零部件供应商签订单，KINGSTONE在针对此违约事项与AIBT多次主动沟通无果后，向其正式提起诉讼。

图片来源：香港高等法院对AIBT公司的传票

相关人士表示，如果AIBT逾越KINGSTONE直接采购上游零部件、组装并销售相关产品，必然侵犯KINGSTONE的知识产权。离子注入设备作为芯片制造工序中关键一环，只有打破核心设备的进口依赖，才能最终实现“中国芯”的自主制造。在面临国产化半导体设备遭受多方掣肘的背景下，KINGSTONE持续发力攻坚，现已拥有原创的超越7纳米芯片半导体离子注入机技术，并实现我国半导体设备领域国产设备商用化重大突破。随着半导体核心设备逐步实现中高端国产化，国产半导体设备领域也迎来了主导话语权，而加速产业国产化进程的同时，国内企业的海内外技术布局以及保护方面的意识也将显著增强，这也将会引领产业抢占发展制高点，在新一轮国际竞争中赢得先机。