据韩国专业电子行业媒体etnews报道， SK Hynix已开始在其总部DRAM工厂建造一条采用EUV光刻技术的先进生产线。据悉，该公司正在转让现有的生产设备，并安装新的设备，如EUV光刻系统和清洁车。

　　SK Hynix的总部和工厂（韩国京畿道里川市）全景（来源：SK Hynix）

该报称，除了升级M14晶圆厂的设备外，还将在即将启用新晶圆厂的M16晶圆厂安装ASML EUV光刻系统，由于应用EUV光刻技术的晶圆是M14和M16，SK Hynix将同时为M14和M16做准备。虽然EUV光刻设备本身将安装在M16，但在EUV上光刻生产的DRAM相信会通过晶圆厂之间的晶圆传输路径在M14生产。 半导体人士解释，这种新旧两条线的准备方法是公司风险对策的一部分。

　　该公司表示：“的确，我们正在为使用EUV的DRAM的大规模生产做准备，但目前还没有宣布具体的生产计划。”

　　2020年8月，DRAM竞争对手三星电子宣布在平泽工厂新建的第二座生产线（2号线）开始生产16 Gbit LPDDR5移动DRAM。可以说是SK海力士遵循的形式。

　　由于NAND的3D转换，该过程的微型化已停止，但是由于DRAM尚未转换为3D，因此该过程的微型化是渐进的，但仍在继续。我们已经在10nm范围内研究1X-nm，1Y-nm和1Z-nm的工艺，并且我们相信EUV将在1Z-nm和1A（α）-nm或更晚的世代之后应用。

　　顺带一提，之前三星已将EUV应用于1Z-nm DRAM，但SK海力士将从2021年起将EUV应用于1A-nm DRAM，而非1Z-nm，并将于2022年将EUV应用于1B（β）-nm，即第五代10nm DRAM。