台积电董事长刘德音也表示,计划扩建工厂提升2nm芯片的产能。

据最新报道,台积电在2nm芯片技术上取得了重大突破,虽然目前尚未透露具体细节。但有消息称,2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性实验,并于2024年进入量产阶段。

台积电还表示,2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距,并继续推进1nm工艺的研发。

预计到时候苹果、高通、英伟达、AMD等客户有望率先采用其2nm工艺。

据悉台积电2nm将会采用多桥通道场效晶体管 (MBCFET)架构,这一架构有助于克服鳍式场效晶体管 (FinFET)架构因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。台积电在2nm制程上采用这一工艺架构,将有助于提高2nm的生产能力。

目前三星已经在5nm工艺的研发上投入了约4．8亿美元,3nm砷化镓场效应管的研发将大大超过5亿美元。虽然台积电很少披露具体工艺节点的投资数字,但我们可以想象。台积电此前曾表示,其2纳米技术的研发和生产将在保山和新竹进行,同时还进一步指出,它正计划拥有四个超大型晶圆厂,占地222英亩。