据重庆日报报道，目前，重庆邮电大学实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片。

　　重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义透露，目前，实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，这也是重庆市功率半导体、汽车电子产业发展的新兴方向。

　　据悉，第三代半导体功率芯片主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面，具备体积小、效率高、用电量少等特点。

　　据黄义介绍，这款功率半导体芯片电量能节省10%以上，面积是硅芯片的1/5左右，开关速度提升10倍以上。目前该项目已经到了试验性应用阶段，未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。

　　值得一提的是，由重庆邮电规划的“重庆集成电路设计创新孵化中心”已经入驻西部（重庆）科学城。

　　该中心将着力建设我市集成电路公共设计、测试分析、半导体工艺等为一体集成电路中试平台，提供低成本、高效率的集成电路公共服务与专业技术支持；同时孵化一批人工智能芯片、公共安全专用芯片、化合物半导体芯片等方向的高端科技成果及高科技企业。