据悉，恩智浦半导体（NXP）宣布正式启用位于美国亚利桑那州钱德勒（Chandler）的 6 英寸射频氮化镓（GaN）晶圆厂，这是美国境内专注于 5G 射频功率放大器的最先进晶圆厂。

　　恩智浦表示，这座全新氮化镓晶圆厂已通过认证，首批产品将持续推出上市，预计 2020 年底将达到产能满载。

　　恩智浦指出，此全新工厂结合恩智浦射频功率领导者的专业与大规模量产技术，代表实现创新，有助支持 5G 基站与先进通信基础设施在工业、航空航天和国防市场的扩展。

　　恩智浦半导体总裁兼首席执行官 Kurt Sievers 在演讲中表示，今日象征着恩智浦的重要里程碑。通过在亚利桑那州建立此先进厂房与吸引关键人才，让恩智浦能够更聚焦于发展氮化镓技术，将其作为推动下一代 5G 基站基础建设的一部分。

　　随着 5G 的发展，射频解决方案中每个天线所需的功率密度呈指数级增长，但仍需保持相同的机箱尺寸，并降低功耗。氮化镓功率晶体管已成为满足这些严格要求的新黄金标准，能够大幅提高功率密度和效率。

　　同时，恩智浦半导体执行副总裁兼无线电功率业务部总经理 Paul Hart 表示，恩智浦团队向来致力于建造世界上最先进的射频氮化镓晶圆厂，该晶圆厂的能力可扩展至 6G 甚至更高。

　　氮化镓是硅的替代品，被视为是第三代半导体材料。半导体材料第一代为硅，第二代是砷化镓，第三代除了氮化镓，还包括碳化硅。氮化镓是 5G 网络中的关键材料之一，因为它能处理应用于 5G 网络的高频率，同时比其他芯片材料功号更低，所占空间更少。

　　利用氮化镓量产芯片仍是一项具利基的尝试，多数的供应来自恩智浦、SkyWorks Solutions 与 Qorvo。

　　恩智浦半导体表示，这座新工厂将生产 6 英寸的氮化镓晶圆，与用于多数传统硅计算芯片的晶圆尺寸相比只有一半，但在替代性材料中，这样的尺寸很常见。

　　据悉，恩智浦的亚利桑那州工厂将设有一座研发中心，协助工程师加速氮化镓半导体的开发与申请专利。

　　恩智浦表示，预计这座工厂年底前就会产能全开。

　　值此之际，美国政府正讨论推出百十亿美元的激励计划，用以让更多芯片制造商将生产线迁回美国本土。

　　由此来看，恩智浦在美国设厂的重要原因，或许是为了给予平息美国的“担忧”，从而进一步开拓当地市场。

　　据日经亚洲评论 9 月 26 日消息，美国国会正酝酿一项计划，打算拨款 250 亿美元（折合约 1705 亿元人民币）作为激励资金，鼓励更多跨国芯片制造商将生产线迁至美国。根据美国的设想，将对每个新来的芯片项目发放 30 亿美元（折合约 204 亿元人民币）的补贴。

　　早从去年 10 月开始，美国就频繁对外喊话，希望更多制造商将供应链放到美国。这一举动的背后，就是美国担忧华为、中兴等中国企业的崛起，或将会吸引更多跨国芯片制造商将生产集中至中国，届时美国失去了在芯片领域的优势地位，很有可能将面临“断供”的困境。

　　值得一提的是，恩智浦半导体与华为也有着不小的“渊源”。在 2018 年华为公布的 92 家核心供应商名单中，这家荷兰巨头是华为为数不多的连续十年金牌供应商之一，另一个是美国巨头英特尔。随着 9 月 14 日美国新规正式生效，外界也纷纷猜测华为在欧洲的供货商是否会受到影响。

　　数据显示，中国是恩智浦全球第一大市场，2018 年，来自中国的订单额在其全年营收的占比高达 36%。而据美国媒体报道，截至目前，恩智浦半导体还未对美国的新规做出任何回应。