电子器件向着小型化方向发展，GaN解决方案提供的高功率密度使器件尺寸变得更小，从而简化了设计过程中的布局并减少了损耗。宽带隙甚至可以在高温下运行。 GaN器件还可以以比其硅等效器件更高的频率工作，移动速度最高可快10倍。

    英飞凌的总体战略是将当今的每一项尖端硅技术与宽带技术相集成。英飞凌基于已经在市场上推出的CoolSiC™技术，推出了新的CoolGaN™解决方案，这些解决方案完善了CoolMOS™产品组合的超级器件。 CoolGaN可确保高效率并降低功率转换器的重量。 CoolGaN可使输出功率加倍，在相同的空间内提供更高的效率。 CoolGaN晶体管中RDS(ON)的温度系数明显低于硅晶体管，这验证了Infineon所说的关于传导损耗的合理效率。

    CoolGaN系列中使用的技术适用于单个封装中的多芯片解决方案，并且与等效解决方案相比，可提供更直接，更便宜的半桥拓扑。

    CoolGaN器件简化了PFC(功率因数校正)的半桥拓扑，包括消除了无效的输入矫直桥。

    600V CoolGaN系列CoolGaN器件的制造符合合格的工艺规范，该规范远远超出了硅功率器件的标准，并且针对电信，数据通信和SMPS服务器应用以及许多工业和消费类应用进行了优化。

    在电源大会上，我们采访了英飞凌GaN市场与应用高级总监Tim McDonald。 Infineon Technologies AG是半导体解决方案的全球领导者，这些解决方案使生活更轻松，更安全，更绿色。英飞凌的半导体和系统解决方案为美好的未来做出了贡献-使我们的世界更轻松，更安全，更绿色。以上就是新型电源解决方案CoolGaN，相信能给大家带来一定的帮助。