近日，三星发布了一款名为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片，预计将在今年上半年开始量产。

据悉，HBM2E单颗最大容量为16GB，由8颗16Gb的DRAM颗粒堆迭而成，单个封装可实现16GB容量，最高可提供3．2Gbps的稳定数据传输速度。

全新的HBM2E记忆体“Flashbolt”采用三星1ynm制程工艺，单颗最大容量为16GB，由16Gb的单Die通过8层堆迭而成。三星官方介绍说，全新的“Flashbolt”在频宽上面有比较明显的提升，在默认的3．2Gbps下，单颗HBM2E就可以提供高达410GB／s的频宽，1秒内便可传输82部 Full HD （5GB）全高清画质的影片。

至于三星内部测试自家全新的“Flashbolt”存储芯片，在“超频”后可以达到最高4．2Gbps的传输速率，频宽更高达538GB／s，比上代产品高出75％。

按照三星官方的说法，全新的HBM2E存储芯片将会在今年上半年开始量产，特别适用于HPC高性能运算系统，并可帮助系统制造商及时改进其超级电脑、AI驱动的数据分析以及最新的图形系统。