Intel公布Chiplet黑科技Co-EMIB, ODI和MDIO

  Intel在SEMICON West上公布未来应用于Chiplet的几个黑科技, 大概率又是一个农企率先引入然后被牙膏发扬光大的东西

  Co-EMIB

  结合了EMIB芯片间的Bumps和Foveros芯片3D堆叠技术, 结果就是以后在出现夸张密度的同时拥有低能耗高带宽

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  官方视频可以很好地帮助理解整个流程 https://www.youtube.com/watch?v=NZ8t2zdTo2c

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  ODI (Omni-Directional Interconnect)

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  这项新技术说白了就是将上面EMIB和Foveros堆叠的概念引入Chiplet和Die内部, 有Type 1, Type 2和Type 2特例三种配置方式

  它能给堆叠上部芯片带来更充足的供电, 降低芯片和基板之间的延迟, 同时提升带宽, 目前还属于研发阶段

  同样也有官方视频 https://www.youtube.com/watch?v=JZt4rqzGuHs

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  MDIO

  Die/Chiplet之间的协议接口, 用来取代目前的AIB(Advanced Interface Bus)协议, Intel声称和TSMC上月公布的LIPINCON水平相当

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  下面是2020年可以看到的10nm Chiplets晶圆和芯片实物, 这还只是开始, 人家已经开始考虑2030年的设计了...

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  想象一下2个28C Die+8个HBM Stacks

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