第三代半导体为近年新兴的技术，主要聚焦于碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体新材料领域的突破性技术发展以及新材料器件研发。

20世纪初出现第三代半导体相关专利申请，大约在2000年以后，相关专利申请开始进入快速增长阶段。美国早期领衔全球专利增长，2010年前后我国的申请量首次超过美国。美国、日本、中国、韩国、德国等国家或地区相关专利申请量增长较快。

截至2018年9月30日，第三代半导体产业专利总量约为8．751万件。碳化硅、氮化镓、其他金属氧化物三种主要材料申请数量较为接近；其中碳化硅材料功率半导体和器件工艺较为热门，氮化镓材料外延生长和光电子比重较大。

从衬底技术、结构、设备等方面分涉氮化镓器件制备的技术演进如下图。

氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射等优点，又与现有硅半导体工艺兼容性强，在降低成本方面显示更大的潜力。