六月初，在日本东京举办的超大规模集成电路研讨会中，台积电秀出了自家设计的一块芯片。在参数方面，这块芯片采用7nm工艺，尺寸为4.4x6.2mm，封装工艺为晶圆基底封装，采用了双芯片结构，其一内建4个Cortex A72核心，另一内建6MiB三缓。

　　这块芯片采用了一种双芯片设计，这种技术可以通过添加额外的PHY来进行扩展，芯片不同单元间以及不同芯片之间可以形成互联。每个小芯片具有15个金属层。台积电采用了四个Arm Cortex-A72内核，针对turbo频率大于4GHz电压操作，配备了高性能单元并定制设计1级高速缓存单元，这一模块有两个L2缓存块，每个1 MiB，这些是使用它们的高电流位单元实现的，并以半速运行。此外，还有一个大型的6 MiB L3缓存，使用高密度位单元实现，并以四分之一速度运行。在1.2V的电压下，Cortex内核可以达到4GHz，实测最高达到了4.2GHz。

　　台积电称，这款芯片是为高性能计算平台设计，这也解释其主频为何如此惊人。虽然目前和世界主流芯片大厂有着一定差距，但近年来台积电一步一脚印，有着厚积薄发的态势。