长江存储64层3D闪存芯片量产在即,国产芯片替代趋势下还存在哪些挑战

近日,与非网获悉,紫光集团旗下的长江存储计划于今年年底前投入64层3D闪存量产工作。其中风险试产预计三季度启动,目前良率已经实现了显著爬升。

64层芯片量产后,长江存储的主要精力将转移到128层上,后者有望在2020年大规模投产。

报道称,此前,采用长江存储闪存生产的SSD由紫光存储负责经销。目前长江存储正与紫光集团沟通,希望能够获得SSD、UFS存储芯片等产品的品牌建设和自主经营权。

1557297598505038100.png

此前,长江存储/紫光集团已经和深圳江波龙(Longsys)建立合作,计划打造高度国产化甚至完全国产化的存储设备。

长江存储是国内三大存储芯片阵营中主攻NAND闪存的公司,去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存,还在前不久CITE2019上展示了使用长江存储的32层3D NAND闪存的企业级P8260硬盘。

但是,公司CTO程卫华表示,长江存储并不打算大规模生产32层堆栈的3D NAND闪存,因此计划于今年下半年直接量产64层堆栈的3D NAND闪存,目前进展顺利,暂时没有障碍。

纵观国际闪存巨头,三星、SK Hynix、美光占据近乎90%的存储市场,目前大多正在使用90层堆栈的3D NAND闪存。SK Hynix、美光计划今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存,三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存。

如果长江存储今年年底能够成功量产64层堆栈的3D NAND闪存,那么与三星等国际存储巨头公司技术差距可以缩小到2年左右。

最重要的是,人们担心一旦长江存储进入NAND闪存领域所带来的影响,因为NAND闪存降价会比预期更多。

从总体而言,与DRAM领域不同,长江存储在NAND领域取得了一些进展。如果今年下半年量产64层堆栈NAND闪存,在国产替代和政策要求的趋势下,中国智能手机及PC制造商可能将采用国产NAND闪存。如果出现这种情况,将影响NAND业务的盈利能力,这也是三星、东芝、美光、SK Hynix及其他NAND厂商担心的问题。

但是面对差距,长江存储想要改变内存行业一直被三巨头垄断的现状,还存在诸多挑战:

还没大规模量产32层堆栈的3D NAND闪存,是否能够大规模量产64层堆栈的3D NAND闪存?产能问题如何解决?

闪存市场价格呈下跌态势,长江存储如何应对市场环境和趋势?

国产内存工艺相对落后,面对2年左右的技术差距,又该如何追赶?

以上因素都是长江存储或国产内存厂商无法逃避的问题,挑战仍在,任重道远。


通知公告
编辑观点
理事会
参考资料
版权声明

凡《网络安全与数据治理》(原《信息技术与网络安全》)录用的文章,如作者没有关于汇编权、翻译权、印刷权及电子版的复制权、信息网络传播权与发行权等版权的特殊声明,即视作该文章署名作者同意将该文章的汇编权、翻译权、印刷权及电子版的复制权、信息网络传播权与发行权授予本刊,本刊有权授权本刊合作数据库、合作媒体等合作伙伴使用。同时,本刊支付的稿酬已包含上述使用的费用,特此声明。

《网络安全与数据治理》(原《信息技术与网络安全》)编辑部