3月19日，材料领域国际顶级期刊《自然·材料》，发表复旦大学修发贤团队最新研究论文——《外尔半金属砷化铌纳米带中的超高电导率》。

　　修发贤团队新研制的砷化铌纳米带材料，电导率是铜薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍，制备出了二维体系中具有目前已知最高导电率的外尔半金属材料——砷化铌纳米带。

　　导电材料是电子工业的基础，现在最主要的材料是铜，而当铜变得很薄，进入二维尺度时，电阻变大，导电性迅速变差，功耗大幅度增加，这成为制约芯片等集成电路技术进一步发展的重要瓶颈。

　　据复旦大学物理学系教授修发贤介绍，他们利用氯化铌、砷、氢气三种元素制备了砷化铌纳米带，这种材料它表面有一个表面态，这个表面态就允许电子在上面快速地通行，等于创造了一个绿色的通道，这样的话，在低维尺度下，就可以让电子快速通过而降低能耗。