根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位元成长过多导致过剩状况加剧。

　　DRAMeXchange调查指出，2018年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出。NAND Flash总体资本支出下调近10%，但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美系厂商减少资本支出，使得NAND Flash整体资本支出较2018年持续下滑约2%，总支出规模约为220亿美元。

　　受到供应商扩产计划调整的影响，尽管各供应商已于2018年第四季起量产92/96层3D NAND，但直至2019年底将仅占约32%的位元产出，而64/72层的产出占比则超过50%。供应商制程推进的放缓将导致2019年NAND Flash位元成长仅约38%，相比2018年逾45%的水平明显下降。

　　观察各供应商产能调整，DRAMeXchange指出，三星持续减产2D NAND产能，加上92层制程会消耗更多的厂房空间，2019年运转产能将较2018年底下调，位元产出成长率降至约35%。由于三星全球市占率约3成，三星位元产出成长率的放缓对全球产出成长影响较大。

　　SK海力士、东芝/西数分别有M15以及Fab 6的新厂扩建，但同样受到减产计划或转产旧制程的影响，产出年成长率或低于预期。SK海力士和东芝/西数原先位元产出成长率预估值分别约为50%与40%水平，DRAMeXchange预期会各自下修到50%以下，以及约35%的水位，以反映今年市场需求的急冻；美光的新加坡新厂2020年才正式量产，因此全年产能几乎维持不变；英特尔除了填满大连厂产能，并无宣布其他扩产规划。美光与英特尔阵营2019年整体位元产出成长接近40%水平，相较2018年45%以上的成长幅度明显收敛。

　　从2019年NAND Flash价格走势来看，DRAMeXchange指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。

　　综上所述，DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。