存储器毫无疑问是现在集成电路市场上的明星。

抛开过去一年飞涨的价格不提，未来几年巨大的销量预期也让它成为各大厂商眼中的香饽饽，这也是吸引国内的长江存储、合肥长鑫和福建晋华等企业大举进军存储器产业的原因之一。但是随着产品和应用的发展，传统的电荷型存储器性能已经无法满足需求：

一方面在于Flash与DRAM速度差距大，导致“存储墙”和“功耗墙”等问题的产生；另一方面信息存储与计算分离，成为大数据处理实时性的瓶颈。于是业界开始探索新型存储器，阻变存储器（RRAM）就成为厂商们的一个选择。由于拥有速度快、可靠性高、非挥发、多值存储和高密度的特性，这种存储能给满足现在新兴的人工智能等新兴应用领域的需求。

虽然优点不少，但我们同时也应该看到，RRAM面临着机理不清、涨落大、可靠性不足、工艺集成问题和模拟阻变特性优化等问题。在RRAM可靠性与表征的研究中，也同时还存在诸多挑战：如在RRAM器件，需要考虑瞬态测量、循环次数测试、微观原位表征；而在RRAM阵列，则有自动测试方法和读取速度的困扰。