4月15日，长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司CEO王宁国高调现身合肥集成电路重大项目发布会表示，合肥长鑫作为国内进展最快的存储器生产基地，近日12吋基地约300台研发设备已基本全部到位，装机后今年下半年将全力投片试生产。

王宁国透露，合肥DRAM一期已于2018年1月一厂厂房建设完成，并开始设备安装；2018年底将启动生产8GB DDR4工程样品；2019年底实现单月产能2万片；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。

未来，长鑫睿力 DRAM IDM 平台还将主要采购国产半导体设备与材料。

资料显示，长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目正加快建设，项目投产后预计将占据世界DRAM市场约8%的份额，填补国内DRAM市场的空白，合肥也因此将跨入世界级存储器制造重镇之列。