骁龙845新机刚刚才在MWC2018大会上发布，台媒就爆出关于下一代骁龙855旗舰处理器的猛料信息。消息称，骁龙855将采用更先进的7纳米FinFET制程工艺，集成骁龙X24 LTE基带，其传输速率高达2Gbps，可以说是地表最强基带。骁龙X24基带芯片也将采用7纳米FinFET工艺，台积电将独家代工。

消息人士还称，今明两年7nm芯片代工已由台积电拿下，明年下半年开始试产的5G芯片则交由三星7纳米EUV制程生产。

对于高通7纳米骁龙X24基带芯片，据称其最高支持7载波聚合，是全球首款Cat 20 LTE的基带芯片，能够同时支持20路的LTE数据流，也就是说能合理利用运营商提供的全部频谱资源。在此次MWC2018大会上，高通将与Telstra、Ericsson、Netgear等设备商或运营商进行骁龙X24的传输演示。

骁龙855处理器除了传输速度全球最快外，还会加强人工智能以及相机ISP等运算功能，也不排除加入第三代超声波屏幕指纹识别方案。骁龙855将于今年年底亮相。

台积电除了拥有高通7nm订单外，第二季度后也将为苹果、赛灵思、超威、英伟达、海思等代工7纳米芯片。台积电董事长张忠谋表示，现阶段台积电7纳米的市占率已达到100%。